原文標準名稱：半導體級單晶硅生長用合成石英坩堝

英文標準名稱：Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

中文主題詞：合成石英坩堝

英文主題詞：

標準號：T/NXCL 28—2024

標準狀態：現行

國別：中國

發布日期：2024-02-06

實施或試行日期：2024-02-06

發布單位：寧夏材料研究學會

起草單位：寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司、寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司、寧夏大學、寧夏高創特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限公司

標準類型：產品

標準水平：國內先進

中國標準分類號：

國際標準分類號：29.045

頁數：0

正文語種：中文

內容簡介

本文件規定了半導體級單晶硅生長用合成石英坩堝的術語和定義、規格尺寸、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面的內容。 本文件適用于合成石英砂（成分：二氧化硅）為內層原料，采用電弧熔融法工藝生產，應用于直拉法半導體級單晶硅生長的石英坩堝。